ساختار و عملکرد آی جی بی تی
آی جی بی تی از یک ساختار سه لایهای ساخته شده است که به طور معمول شامل پایه (Emitter)، جمعکننده (Collector)، و گیت (Gate) میباشد. این ساختار ترکیبی از تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدان (MOSFET) و ترانزیستورهای دوبل پیوندی (BJT) است که عملکرد بسیار خوبی در سوئیچینگ و توان بالا فراهم میآورد.
- گیت (Gate): کنترل جریان عبوری از بین پایه (Emitter) و جمعکننده (Collector) را به وسیله ولتاژ گیت انجام میدهد، مشابه MOSFET.
- پایه (Emitter): این بخش جریان منفی را به سیستم ارسال میکند.
- جمعکننده (Collector): این بخش جریان را از سیستم دریافت میکند.
ویژگیهای مهم آی جی بی تی
- سرعت سوئیچینگ بالا: آی جی بی تیها قادرند به سرعت بالا عمل کنند و در این امر بهتر از ترانزیستورهای BJT هستند.
- قابلیت کار با ولتاژ بالا: آی جی بی تیها معمولاً در سیستمهایی که نیاز به ولتاژهای بالا دارند، استفاده میشوند. این قابلیت آنها را برای کاربردهای قدرتی مناسب میکند.
- کارایی بالا: آی جی بی تیها قابلیت انتقال توان بالا با تلفات کم را دارند.
- کنترل ساده: گیت آی جی بی تی مانند یک MOSFET عمل میکند که برای آن ولتاژ کنترل گیت پایین و ساده نیاز است.
- کم بودن تلفات در حالت روشن: آی جی بی تیها نسبت به ترانزیستورهای BJT تلفات کمتری دارند.
مزایای آی جی بی تی
- کارایی بالا و تلفات کم: آی جی بی تیها تلفات بهخصوص در حالت روشن کمتر از ترانزیستورهای BJT دارند.
- توانایی کار در ولتاژهای بالا: این ترانزیستورها قادر به کار در ولتاژهای بالا هستند که آنها را برای کاربردهای صنعتی و قدرتی مناسب میکند.
- سهولت در کنترل: مشابه MOSFET، گیت آی جی بی تی با ولتاژ کنترل ساده عمل میکند که استفاده از آن را آسان میکند.
- سوئیچینگ سریع: این ترانزیستورها توانایی سوئیچینگ سریع دارند که به کارایی بالاتر در سیستمهای قدرت میانجامد.